Substantial Energy Band Modulation of Semiconducting Hexagonal GaTe Quantum Wells by Layer Thickness and Mirror Twin Boundaries

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标题	Substantial Energy Band Modulation of Semiconducting Hexagonal GaTe Quantum Wells by Layer Thickness and Mirror Twin Boundaries 层厚和镜像孪晶边界对半导体六方栅量子阱的实质性能带调制
网址	https://doi.org/10.1021/acsnano.4c05858
DOI	10.1021/acsnano.4c05858 doi
其它	期刊：ACS Nano 作者：Wenzhi Quan; Yue Lu; Qilong Wu; Yujin Cheng; Jingyi Hu; et al 出版日期：2024
求助人	衞凌在 2024-08-01 19:35:45 发布自上海，悬赏 10 积分
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