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Influence of nitrogen doping on the properties of 4H–SiC single crystals grown by physical vapor transport
氮掺杂对物理气相输运法生长4H-SiC单晶性能的影响
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期刊:Journal of Crystal Growth 作者:H.‐J. Rost; J. Doerschel; K. Irmscher; D. Schulz; D. Siche 出版日期:2003-09-01 |
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