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 First Demonstration of Heterogeneous IGZO/Si CFET Monolithic 3D Integration with Dual Workfunction Gate for Ultra Low-power SRAM and RF Applications 面向超低功耗SRAM和RF应用的异构IGZO/Si CFET单片3D集成双功函数门首次演示
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期刊：2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：S. W. Chang; Ta-Ping Lu; Chenyi Yang; Chia-Nan Yeh; Min-Wei Huang; et al 出版日期：2021-12-11 |
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