Tunable band gaps and high carrier mobilities in germanene by Si doping in the presence of an external electric field: Field effect transistors

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标题	Tunable band gaps and high carrier mobilities in germanene by Si doping in the presence of an external electric field: Field effect transistors 外电场中Si掺杂锗烯的可调带隙和高载流子迁移率：场效应晶体管相关领域日耳曼兴奋剂电场材料科学领域（数学）凝聚态物理动性场效应晶体管带隙工程物理光电子学晶体管硅烯硅物理量子力学社会科学数学电压社会学纯数学
网址	https://doi.org/10.1016/j.physb.2024.415859
DOI	10.1016/j.physb.2024.415859 doi
其它	期刊：Physica B-condensed Matter 作者：Meixia Xiao; Xiang Yin; H.Y. Song; Ying Lv; Beibei Xiao 出版日期：2024-03-01
求助人	specialling 在 2024-09-09 11:43:32 发布自陕西，悬赏 10 积分
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