Threshold-voltage bias-instability in SiC MOSFETs: effects of stress temperature and level on oxide charge buildup and recovery

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标题	Threshold-voltage bias-instability in SiC MOSFETs: effects of stress temperature and level on oxide charge buildup and recovery SiC MOSFETs的阈值电压偏置不稳定性：应力温度和电平对氧化物电荷积累和恢复的影响相关领域阈值电压俘获材料科学负偏压温度不稳定性碳化硅压力（语言学）不稳定性氧化物栅氧化层活化能电压凝聚态物理晶体管化学电气工程物理复合材料冶金生态学语言学哲学有机化学机械生物工程类
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac606c
DOI	10.1088/1361-6641/ac606c doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Amartya K Ghosh; Jifa Hao; Michael Cook; Samia A Suliman; Xinyu Wang; et al 出版日期：2022-03-23
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