Defect behavior during growth of heavily phosphorus doped Czochralski silicon crystals (II): Theoretical study

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标题	Defect behavior during growth of heavily phosphorus doped Czochralski silicon crystals (II): Theoretical study 重磷掺杂直拉硅晶体生长过程中的缺陷行为（Ⅱ）：理论研究相关领域硅兴奋剂材料科学直拉法磷凝聚态物理结晶学光电子学化学冶金物理
网址	https://doi.org/10.1063/5.0200130
DOI	10.1063/5.0200130 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Koji Sueoka; Y. Narushima; Kazuhisa Torigoe; Nobuhiro Nonaka; K. Koga; et al 出版日期：2024-08-01
求助人	缪南风在 2024-08-12 10:43:09 发布自山东，悬赏 10 积分
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