P-type β-Ga2O3 films were prepared by Zn-doping using RF magnetron sputtering

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标题	P-type β-Ga2O3 films were prepared by Zn-doping using RF magnetron sputtering 采用射频磁控溅射法制备了P型β-Ga2O3薄膜相关领域材料科学兴奋剂分析化学（期刊）溅射沉积暗电流光电效应掺杂剂溅射电导率腔磁控管霍尔效应光电探测器电阻率和电导率薄膜光电子学纳米技术化学电气工程工程类物理化学色谱法
网址	https://doi.org/10.1016/j.matlet.2022.133251
DOI	10.1016/j.matlet.2022.133251 doi
其它	期刊：Materials Letters 作者：Dafang Wu; Kunpeng Ge; Dongdong Meng; Zheng-Wei Chen 出版日期：2023-01-01
求助人	monsoon06 在 2024-05-10 15:45:55 发布，悬赏 10 积分
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