Effect of Channel Length on the Reliability of Amorphous Indium–Gallium–Zinc Oxide Thin Film Transistors

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标题	Effect of Channel Length on the Reliability of Amorphous Indium–Gallium–Zinc Oxide Thin Film Transistors 沟道长度对非晶态铟镓锌氧化物薄膜晶体管可靠性的影响相关领域薄膜晶体管材料科学阈值电压无定形固体压力（语言学）栅氧化层光电子学晶体管图层（电子）电气工程化学电压纳米技术结晶学语言学哲学工程类
网址	https://doi.org/10.1143/jjap.51.03cb03
DOI	10.1143/jjap.51.03cb03 doi
其它	期刊：Japanese journal of applied physics 作者：Sooyeon Lee; Sun-Jae Kim; Young‐Wook Lee; Woo‐Geun Lee; Kwang Sub Yoon; et al 出版日期：2012-03-01
求助人	坐井观天的蛙在 2024-05-17 16:48:40 发布自四川，悬赏 10 积分
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