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 Enhanced Computational Study with Experimental Correlation on I–V Characteristics of Tantalum Oxide (TaOx) Memristor Devices in a 1T1R Configuration 1T1R结构中氧化钽（TaOx）忆阻器件I-V特性的增强计算研究和实验相关性
相关领域
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期刊：Small 作者：Sangwook Sihn; William L. Chambers; Minhaz Abedin; Karsten Beckmann; Nathaniel C. Cady; et al 出版日期：2024-03-22 |
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