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标题
Reduction of morphological defects in 4H-SiC epitaxial layers
4H-SiC外延层形貌缺陷的减少
相关领域
外延 成核 材料科学 蚀刻（微加工） 产量（工程） 图层（电子） 抛光 缓冲器（光纤） 六方晶系 结晶学 光电子学 复合材料 化学 计算机科学 电信 有机化学
网址
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.10.023
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2018.10.023 doi
其它 期刊：Journal of Crystal Growth
作者：Yun Li; Zhifei Zhao; Le Yu; Yi Wang; Ping Zhou; et al
出版日期：2018-10-10
求助人
路人甲路人乙 在 2025-04-27 17:15:39 发布自北京，悬赏 10 积分
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