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GaN quasi-vertical trench MOSFETs grown on Si substrate with ON-current exceeding 1 A
导通电流大于1 A的Si衬底GaN准垂直沟槽MOSFETs
相关领域
沟槽
材料科学
击穿电压
光电子学
MOSFET
兴奋剂
基质(水族馆)
电流(流体)
电介质
短通道效应
电压
介电强度
电气工程
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期刊:Applied Physics Express 作者:Renqiang Zhu; Huaxing Jiang; Chak Wah Tang; Kei May Lau 出版日期:2022-11-24 |
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