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 AlN/GaN/AlN HEMTs on Bulk AlN Substrates with High Drain Current Density > 2.8 A/mm and Average Breakdown Field > 2 MV/cm 体AlN衬底上的AlN/GaN/AlN HEMT，具有>2.8 A/mm的高漏极电流密度和>2 MV/cm的平均击穿场
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氮化镓
电流密度
氮化铝
电流（流体）
电气工程
复合材料
铝
图层（电子）
物理
量子力学
工程类
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