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Photo‐Synaptic Oxide Transistors with Al2O3/SiOx Stacked Gate Dielectric Exhibiting 1024 Conduction States with Good Linearity
具有Al2O3/SiOx堆叠栅极电介质的光突触氧化物晶体管表现出1024个导通态且线性良好
相关领域
材料科学
电介质
脉搏(音乐)
光电子学
热传导
线性
晶体管
栅极电介质
波长
电压
电气工程
复合材料
工程类
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其它 |
期刊:Advanced Electronic Materials 作者:Jung Wook Lim; Min A. Park; Jieun Kim 出版日期:2022-07-10 |
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