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 Transport properties of a thin GaN channel formed in an Al0.9Ga0.1N/GaN heterostructure grown on AlN/sapphire template AlN/蓝宝石模板上Al0.9Ga 0.1 N/GaN异质结构薄GaN沟道的输运特性
相关领域
材料科学
蓝宝石
异质结
光电子学
氮化镓
宽禁带半导体
外延
电子迁移率
位错
透射电子显微镜
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纳米技术
光学
物理
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Julien Bassaler; Rémi Comyn; Catherine Bougerol; Y. Cordier; Farid Medjdoub; et al 出版日期：2022-03-24 |
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