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Characteristics of δ-doped InAlAs/InGaAs/InP high electron mobility transistors with a linearly graded InxGa1−xAs channel
具有线性梯度InxGa1-xAs沟道的δ掺杂InAlAs/InGaAs/InP高电子迁移率晶体管特性
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期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:Jidong Huang; Wei Chou Hsu; Ching Sung Lee; Dong Huang; Mingfeng Huang 出版日期:2006-03-21 |
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