Homoepitaxial growth of (100) Si-doped β-Ga2O3 films via MOCVD

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标题	Homoepitaxial growth of (100) Si-doped β-Ga2O3 films via MOCVD （100）Si掺杂β-Ga2O3薄膜的MOCVD同向外延生长相关领域金属有机气相外延材料科学兴奋剂欧姆接触外延化学气相沉积电子迁移率表面粗糙度分析化学（期刊）光电子学纳米技术化学图层（电子）复合材料色谱法
网址	https://doi.org/10.1088/1674-4926/44/6/062801
DOI	10.1088/1674-4926/44/6/062801 doi
其它	期刊：Journal of Semiconductors 作者：Wenbo Tang; Xiao Han; Xiaodong Zhang; Botong Li; Yongjian Ma; et al 出版日期：2023-06-01
求助人	冷傲新柔在 2023-09-24 23:04:07 发布自浙江，悬赏 10 积分
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