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 Effects of N2O Anneal on Channel Mobility of 4H-SiC MOSFET and Gate Oxide Reliability N2O退火对4H-SiC MOSFET沟道迁移率和栅氧化可靠性的影响
相关领域
材料科学
MOSFET
随时间变化的栅氧化层击穿
栅氧化层
光电子学
电子迁移率
氧化物
退火（玻璃）
电气工程
冶金
晶体管
工程类
电压
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