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 Sub-bandgap excited photoluminescence probing of deep defect complexes in GaN doped by Si, Ge and C impurities 掺杂Si、Ge和C的GaN中深缺陷复合物的亚带隙激发光致发光探测
相关领域
光致发光
杂质
兴奋剂
激发态
带隙
材料科学
光电子学
化学
原子物理学
物理
有机化学
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| 其它 |
期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：X. Z. Wang; Tomáš Vaněk; František Hájek; V. Jarý; Tomáš Hubáček; et al 出版日期：2024-09-02 |
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