A Two‐Step Dry Etching Model for Non‐Uniform Etching Profile in Gate‐All‐Around Field‐Effect Transistor Manufacturing

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标题	A Two‐Step Dry Etching Model for Non‐Uniform Etching Profile in Gate‐All‐Around Field‐Effect Transistor Manufacturing 全栅极场效应晶体管非均匀刻蚀轮廓的两步干法刻蚀模型
网址	https://doi.org/10.1002/smll.202405574
DOI	10.1002/smll.202405574 doi
其它	期刊：Small 作者：Ziyi Hu; Junjie Li; Rui Chen; Dashan Shang; Yayi Wei; et al 出版日期：2024
求助人	夜雨清痕y 在 2024-10-16 14:52:32 发布自天津，悬赏 10 积分
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