Ultrahigh Gain at Low Bias Achieved in Homoepitaxial Ga2O3 Schottky Photodiode With Low Dark Current

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标题	Ultrahigh Gain at Low Bias Achieved in Homoepitaxial Ga2O3 Schottky Photodiode With Low Dark Current 低暗电流同质外延Ga2O3肖特基光电二极管在低偏压下实现超高增益相关领域光电二极管暗电流光电子学肖特基二极管材料科学砷化镓反向偏压电流（流体）光电探测器电气工程二极管工程类
网址	https://doi.org/10.1109/led.2024.3520391
DOI	10.1109/led.2024.3520391 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Zhuoqun Zheng; Yaoping Lu; Jiachang Zhuang; Lemin Jia; Shuyuan Zhu; et al 出版日期：2024-01-01
求助人	冷傲新柔在 2025-02-15 22:50:54 发布自浙江，悬赏 10 积分
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