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标题
Influence of Design Considerations on Hot Carrier Injection Degradation of STI-based LDMOS Transistors
设计考虑因素对STI基LDMOS晶体管热载流子注入退化的影响
相关领域
LDMOS 浅沟隔离 材料科学 降级（电信） 基质（水族馆） 光电子学 压力（语言学） 氧化物 沟槽 兴奋剂 栅氧化层 晶体管 撞击电离 图层（电子） 电子工程 电气工程 电离 复合材料 离子 化学 冶金 工程类 哲学 电压 语言学 海洋学 有机化学 地质学
网址
https://doi.org/10.1109/ipfa.2018.8452504
DOI
10.1109/ipfa.2018.8452504 doi
其它 期刊：
作者：A. F. Muhammad Alimin; Sharifah Fatmadiana Wan Muhamad Hatta; Norhayati Soin
出版日期：2018-07-01
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舒服的网络 在 2024-12-22 20:44:15 发布自广东，悬赏 10 积分
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