Wafer‐Scale Memristor Array Based on Aligned Grain Boundaries of 2D Molybdenum Ditelluride for Application to Artificial Synapses

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标题	Wafer‐Scale Memristor Array Based on Aligned Grain Boundaries of 2D Molybdenum Ditelluride for Application to Artificial Synapses 基于二维二碲化钼晶界排列的晶片级忆阻器阵列在人工突触中的应用相关领域材料科学神经形态工程学记忆电阻器晶界薄脆饼钼横杆开关微晶电阻随机存取存储器纳米技术光电子学电压电子工程电气工程人工神经网络计算机科学复合材料微观结构人工智能工程类冶金
网址	https://doi.org/10.1002/adfm.202309455
DOI	10.1002/adfm.202309455 doi
其它	期刊：Advanced Functional Materials 作者：Joo Young Yang; Aram Yoon; Donghyun Lee; Seunguk Song; Inhwa Jung; et al 出版日期：2023-09-27
求助人	还单身的绮梅在 2024-11-06 15:01:01 发布自广西，悬赏 10 积分
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