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 Determination of Si-SiO/sub 2/ interface recombination parameters using a gate-controlled point-junction diode under illumination 用栅控点结二极管在光照下测定Si-SiO/sub 2/界面复合参数
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：R. Girisch; R. Mertens; R. F. De Keersmaecker 出版日期：1988-01-01 |
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