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 Double‐Gate MoS2 Field‐Effect Transistors with Full‐Range Tunable Threshold Voltage for Multifunctional Logic Circuits 多功能逻辑电路用全范围可调阈值电压双栅MoS2场效应晶体管
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期刊：Advanced Materials 作者：Jiali Yi; Xingxia Sun; Chenguang Zhu; Shengman Li; Yong Liu; et al 出版日期：2021-05-31 |
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