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 Solution-processed indium-zinc-oxide thin-film transistors based on anodized aluminum oxide gate insulator modified with zirconium oxide 基于氧化锆改性阳极氧化铝栅极绝缘体的溶液处理氧化铟锌薄膜晶体管
相关领域
阳极氧化
材料科学
薄膜晶体管
氧化物
铟
锌
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氧化铝
铝
绝缘体（电）
光电子学
等效氧化层厚度
晶体管
化学工程
无机化学
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化学
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电压
工程类
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期刊：RSC Advances 作者：Yuzhi Li; Linfeng Lan; Peng Xiao; Zhenguo Lin; Sheng Sun; et al 出版日期：2015-01-01 |
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