| 标题 |
 ON-State Gate Stress Induced Threshold Voltage Instabilities in p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs p-GaN栅极AlGaN/GaN HEMT中通态栅极应力诱导的阈值电压不稳定性
相关领域
阈值电压
材料科学
光电子学
氮化镓
热离子发射
晶体管
宽禁带半导体
肖特基二极管
肖特基势垒
金属浇口
栅氧化层
电压
电气工程
电子
图层（电子）
二极管
物理
纳米技术
工程类
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
nozero
科研小民工
昏睡的蟠桃
迟大猫
迷人秋烟
SYLH
pcr163
有何丿不可
shinysparrow
默默地读文献
cdercder
刘荻萩
Grayball
热情的天蓝
Singularity
YSM
实验好难
司空豁
子车茗
从容芮
皖公网安备34019202002308
