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 Transparent, P‐channel CuISn Thin‐film Transistor with Field Effect Mobility of 45 cm2 V–1 s–1 and Excellent Bias Stability 具有45 cm2 v-1 s-1场效应迁移率和优异偏置稳定性的透明P沟道CuISn薄膜晶体管
相关领域
材料科学
薄膜晶体管
光电子学
电子迁移率
晶体管
阈值电压
分析化学（期刊）
X射线光电子能谱
图层（电子）
纳米技术
电气工程
化学
电压
核磁共振
物理
工程类
色谱法
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| 其它 |
期刊：Advanced materials and technologies 作者：Narendra Naik Mude; Ravindra Naik Bukke; Jin Jang 出版日期：2022-01-07 |
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