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 Simulation study on the influence of metal contact and MOS interface trap states on the electrical characteristics of SiC IGBT 金属接触和MOS界面陷阱态对SiC IGBT电学特性影响的仿真研究
相关领域
材料科学
绝缘栅双极晶体管
光电子学
接受者
沟槽
碳化硅
阈值电压
金属浇口
晶体管
电气工程
电压
纳米技术
凝聚态物理
栅氧化层
图层（电子）
复合材料
工程类
物理
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| 其它 |
期刊：AIP advances 作者：Lingqin Huang; Xinchao Liu; Jing Zhu; Yaohua Wang 出版日期：2023-05-01 |
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