| 标题 |
 Polycrystalline InGaO Thin-Film Transistors with Coplanar Structure Exhibiting Average Mobility of ≈78 cm2 V-1 s-1 and Excellent Stability for Replacing Current Poly-Si Thin-Film Transistors for Organic Light-Emitting Diode Displays 具有共面结构的多晶InGaO薄膜晶体管，表现出约78 cm2 V-1 s-1的平均迁移率和优异的稳定性，用于替代当前用于有机发光二极管显示器的多晶硅薄膜晶体管
相关领域
薄膜晶体管
材料科学
阈值电压
无定形固体
退火（玻璃）
分析化学（期刊）
光电子学
微晶
铟
晶体管
结晶学
电气工程
电压
纳米技术
化学
复合材料
冶金
工程类
图层（电子）
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
Hayat
寻道图强
爱静静
HEIKU
吃不饱星球球长
自由的青亦
SciGPT
OCDer
高大凌寒
从容芮
shinysparrow
银色的喵咪
有人
加湿器
Chloe
cc
乐乐乐乐乐乐
传奇3
Migue
勤劳晓亦
皖公网安备34019202002308
