Piezoelectric Field Effect and Field-Effect Transistors Based on MoSi22N4, MoSi2P4, and MoGe2N4 Monolayers

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标题	Piezoelectric Field Effect and Field-Effect Transistors Based on MoSi22N4, MoSi2P4, and MoGe2N4 Monolayers 基于MoSi22N4、MoSi2P4和MoGe2N4单层的压电场效应和场效应晶体管相关领域压电场效应晶体管材料科学物理凝聚态物理拓扑（电路）晶体管电气工程电压量子力学复合材料工程类
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2023.3319302
DOI	10.1109/ted.2023.3319302 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Hesameddin Adib; Mohsen Mazaherifar; Shoeib Babaee Touski; S. Mohajerzadeh 出版日期：2023-11-01
求助人	Ashui 在 2024-09-11 11:05:18 发布自浙江，悬赏 10 积分
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