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Effect of Doping Concentration on Intrinsic Ferroelectric Properties of HfLaO-Based Ferroelectric Memory
掺杂浓度对HfLaO基铁电存储器本征铁电性能的影响
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期刊:IEEE electron device letters 作者:Yongkai Liu; Tianyu Wang; Kangli Xu; Zhenhai Li; Jiajie Yu; et al 出版日期:2024-03-01 |
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