Rapid thermal annealing and the anomalous threshold voltage shift of metal-oxide-semiconductor structure in n+ polycrystalline silicon gate complementary metal-oxide-semiconductor technology

已完结

文献求助详情

标题	Rapid thermal annealing and the anomalous threshold voltage shift of metal-oxide-semiconductor structure in n+ polycrystalline silicon gate complementary metal-oxide-semiconductor technology n+多晶硅栅极互补金属氧化物半导体技术中金属氧化物半导体结构的快速热退火和异常阈值电压漂移相关领域 MOSFET 材料科学退火（玻璃）阈值电压硅光电子学场效应晶体管多晶硅栅氧化层氧化物晶体管半导体薄膜晶体管电压电气工程纳米技术冶金图层（电子）工程类
网址	https://doi.org/10.1063/1.107910
DOI	10.1063/1.107910 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Y.K. Fang; J.C. Hsieh; C. W. Chen; C. H. Koung; N. S. Tsai; et al 出版日期：1992-07-27
求助人	哈哈镜在 2024-08-08 19:40:10 发布自陕西，悬赏 10 积分
下载	该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。
	温馨提示：该文献已被科研通学术中心收录，前往查看科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。

上个求助

该求助已完结，感谢关注

如需该文献，请重新发布求助，前往发布

老实憨厚无套路，服务科研追梦人

请遵守相关知识产权规定，勿将文件分享给他人，仅可用于个人研究学习

我的文献求助列表浏览历史

一分钟了解求助规则 | 捐赠本站 | 历史今天

科研通是完全免费的文献互助平台，具备全网最快的应助速度，最高的求助完成率。对每一个文献求助，科研通都将尽心尽力，给求助人一个满意的交代。

实时播报: 咕哒完成签到，获得积分10

刚刚; Orange上传了应助文件

刚刚; 酷波er上传了应助文件

1秒前; 平常远山完成签到，获得积分10

5秒前; 慕青的应助被米歇尔采纳，获得10

6秒前; CC发布了新的文献求助10

6秒前; 平常远山发布了新的文献求助10

7秒前; nana完成签到，获得积分10

9秒前; Andy完成签到，获得积分20

12秒前; 英俊的铭上传了应助文件

16秒前; 番薯完成签到，获得积分10

16秒前; 科研通AI5的应助被皮代谷采纳，获得10

18秒前; 慕青上传了应助文件

18秒前; 科研通AI5上传了应助文件

18秒前; 思源的应助被ximuye采纳，获得10

20秒前; 小豆子发布了新的文献求助10

21秒前; xiaozhao完成签到，获得积分10

22秒前; 米歇尔发布了新的文献求助10

23秒前; MisTerZhang发布了新的文献求助10

25秒前; 天天天才完成签到，获得积分10

29秒前; 思源上传了应助文件

29秒前; 科研通AI5的应助被殷勤的语芙采纳，获得10

31秒前; ruann完成签到，获得积分10

32秒前; 可爱的函函的应助被狄绮采纳，获得10

33秒前; ximuye发布了新的文献求助10

34秒前; 秋霜上传了应助文件

35秒前; Orange的应助被西柚采纳，获得10

35秒前; leilei完成签到，获得积分10

35秒前; 可爱的函函上传了应助文件

36秒前; 狄绮发布了新的文献求助10

40秒前; 彭于晏上传了应助文件

40秒前; 三一完成签到，获得积分10

42秒前; 科研通AI5上传了应助文件

42秒前; ximuye完成签到，获得积分10

44秒前; 烊驼发布了新的文献求助10

45秒前; TTTTTT发布了新的文献求助80

48秒前; liudefeng给liudefeng的求助进行了留言

50秒前; 华仔上传了应助文件

53秒前; 外向的鸭子发布了新的文献求助10

55秒前; 烊驼完成签到，获得积分10

55秒前