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标题
Process development of high-k metal gate aluminum CMP at 28nm technology node
28nm技术节点高k金属栅极铝CMP工艺开发
相关领域
金属浇口 化学机械平面化 薄脆饼 材料科学 抛光 金属 铝 光电子学 纳米技术 栅氧化层 冶金 电气工程 晶体管 工程类 电压
网址
https://doi.org/10.1016/j.mee.2011.04.013
DOI
10.1016/j.mee.2011.04.013 doi
其它 期刊：Microelectronic Engineering
作者：Yeh-Hsin Hsien; H. K. Hsu; T.C. Tsai; Welch Lin; Rao Huang; et al
出版日期：2011-05-26
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时空 在 2024-12-17 10:19:28 发布，悬赏 10 积分
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