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 Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer 使用AlN缓冲层的金属有机气相外延生长高质量GaN薄膜
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Hiroshi Amano; Nobuhiko Sawaki; Isamu Akasaki; Y. Toyoda 出版日期：1986-02-03 |
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