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 Effect of Schottky gate type and channel defects on the stability of transparent ZnO MESFETs 肖特基栅极类型和沟道缺陷对透明ZnO MESFETs稳定性的影响
相关领域
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光电子学
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Salim Ahmed Ali Elzwawi; A. Hyland; Max F. Lynam; J. G. Partridge; Dougal G. McCulloch; et al 出版日期：2015-01-19 |
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