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Fabrication and formation mechanisms of Ohmic conducts with low annealing temperature for GaN/AlN superlattice barrier HEMTs
GaN/AlN超晶格势垒HEMTs低退火温度欧姆导体的制备及形成机理
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期刊:Journal of Physics D: Applied Physics 作者:Shanjie Li; Fanyi Zeng; Nengtao Wu; Ling Luo; Ben Cao; et al 出版日期:2024 |
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