Designing High-Performance Nanoscale Spin-MOSFET Devices by Using Two-Dimensional Half-Metallic Cr2Se3

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标题	Designing High-Performance Nanoscale Spin-MOSFET Devices by Using Two-Dimensional Half-Metallic Cr2Se3 利用二维半金属Cr2Se3设计高性能纳米级自旋MOSFET器件相关领域材料科学纳米尺度 MOSFET 纳米技术光电子学工程物理晶体管电压电气工程工程类
网址	https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsami.4c13805
DOI	10.1021/acsami.4c13805 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Shao-Xian Wang; Ya-Qi Kong; Sheng-Yi Zhang; Ming-Lang Wang; Ming-Zhi Wei; et al 出版日期：2024-10-07
求助人	蒲公英在 2025-01-03 12:10:48 发布自湖北，悬赏 10 积分
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