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 XMoSiN2 (X = S, Se, Te): A novel 2D Janus semiconductor with ultra-high carrier mobility and excellent thermoelectric performance XMoSiN2（X=S，Se，Te）：一种具有超高载流子迁移率和优异热电性能的新型2D Janus半导体
相关领域
热电效应
塞贝克系数
热电材料
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期刊：EPL 作者：Chang-Hao Ding; Zhi-Fu Duan; Zhong-Ke Ding; Hui Pan; Jue Wang; et al 出版日期：2023-07-01 |
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