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Leakage current improvement of nitride-based light emitting diodes using CrN buffer layer and its vertical type application by chemical lift-off process
使用CrN缓冲层改善氮化物基发光二极管的漏电流及其化学剥离工艺的垂直应用
相关领域
发光二极管
光电子学
材料科学
缓冲器(光纤)
二极管
宽禁带半导体
反向漏电流
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氮化物
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