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 Advanced DFT–NEGF Transport Techniques for Novel 2-D Material and Device Exploration Including HfS2/WSe2 van der Waals Heterojunction TFET and WTe2/WS2 Metal/Semiconductor Contact 用于新型二维材料和器件探索的先进DFT-NEGF传输技术，包括HfS2/WSe2范德华异质结TFET和WTe2/WS2金属/半导体接触
相关领域
范德瓦尔斯力
异质结
材料科学
工程物理
物理
光电子学
量子力学
分子
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Aryan Afzalian; Elaheh Akhoundi; Gautam Gaddemane; Rutger Duflou; Michel Houssa 出版日期：2021-11-01 |
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