Enhanced shift current bulk photovoltaic effect in ferroelectric Rashba semiconductor α-GeTe: ab initio study from three- to two-dimensional van der Waals layered structures

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标题	Enhanced shift current bulk photovoltaic effect in ferroelectric Rashba semiconductor α-GeTe: ab initio study from three- to two-dimensional van der Waals layered structures 铁电Rashba半导体α-GeTe中增强的位移电流体光伏效应：三维到二维范德华层状结构的从头计算研究
网址	https://doi.org/10.1088/1361-648x/ac8b50
DOI	10.1088/1361-648x/ac8b50 doi
其它	期刊：Journal of Physics: Condensed Matter 作者：Rajender Prasad Tiwari 出版日期：2022
求助人	糊涂的新竹在 2025-02-17 15:09:55 发布自陕西，悬赏 10 积分
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