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 UV/Near-IR dual band photodetector based on p-GaN/α-In2Se3 heterojunction 基于p-GaN/α-In2Se3异质结的紫外/近红外双波段光电探测器
相关领域
光电探测器
光电子学
材料科学
响应度
异质结
金属有机气相外延
半导体
退火（玻璃）
硅
暗电流
带隙
光电导性
纳米技术
外延
复合材料
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：Sensors and Actuators A-physical 作者：Swanand V. Solanke; Rohith Soman; Muralidharan Rangarajan; Srinivasan Raghavan; Digbijoy N. Nath 出版日期：2021-01-01 |
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