Effect of oxygen partial pressure on the performance of homojunction amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors

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标题	Effect of oxygen partial pressure on the performance of homojunction amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors 氧分压对同质结非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管性能的影响相关领域同质结材料科学薄膜晶体管分压无定形固体薄膜光电子学溅射沉积氧气溅射纳米技术兴奋剂图层（电子）有机化学化学
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6528/ac990f
DOI	10.1088/1361-6528/ac990f doi
其它	期刊：Nanotechnology 作者：Zhiyue Li; Shumei Song; Wanxia Wang; Junbo Gong; Yongzhen Yang; et al 出版日期：2022-10-28
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