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标题
Edge‐Assisted Epitaxy of 2D TaSe2‐MoSe2 Metal–Semiconductor Heterostructures and Application to Schottky Diodes
二维TaSe2-MoSe2金属-半导体异质结构的边缘辅助外延及其在肖特基二极管中的应用
相关领域
材料科学 异质结 外延 肖特基二极管 光电子学 半导体 二极管 化学气相沉积 纳米技术 图层(电子)
网址
DOI
10.1002/adfm.202201449 doi
求助人
流萤 在 2025-02-12 09:56:32 发布自湖南,悬赏 10 积分
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