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 Performance Analysis of AlN/GaN HEMTs on β-Ga2O3 Through Exploration of Varied Back Barriers: An Investigative Study for Advanced RF Power Applications 通过探索不同背势垒分析β-Ga2O3上AlN/GaN HEMTs的性能：先进射频功率应用的调查研究
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期刊：Journal of Electronic Materials 作者：Rama Venkatesan; Rajeswari Manickam; Brindha Duraipandi; Krishnapriya Kottakkal Sugathan 出版日期：2024-05-06 |
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