Study on contact distortion during high aspect ratio contact SiO2 etching

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标题	Study on contact distortion during high aspect ratio contact SiO2 etching 高纵横比接触SiO2刻蚀过程中接触畸变的研究相关领域材料科学蚀刻（微加工）纵横比（航空）氧化物图层（电子）无定形固体纳米制作硅失真（音乐）纳米技术氧化硅光电子学复合材料化学氮化硅冶金结晶学替代医学 CMOS芯片病理医学放大器
网址	https://doi.org/10.1116/1.4901872
DOI	10.1116/1.4901872 doi
其它	期刊：Journal of Vacuum Science & Technology A Vacuum Surfaces and Films 作者：Jong Kyu Kim; Sung Ho Lee; Sung‐Il Cho; Geun Young Yeom 出版日期：2014-12-03
求助人	Shawanna 在 2025-03-12 09:10:18 发布自中国，悬赏 10 积分
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