标题 |
Silicon-Compatible Ferroelectric Tunnel Junctions with a SiO2/Hf0.5Zr0.5O2 Composite Barrier as Low-Voltage and Ultra-High-Speed Memristors
具有SiO2/Hf0.5Zr0.5O2复合势垒的硅相容铁电隧道结作为低压和超高速忆阻器
相关领域
材料科学
硅
复合数
电压
光电子学
铁电性
纳米技术
电气工程
复合材料
电介质
工程类
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