Universal tunneling behavior in technologically relevant P/N junction diodes

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标题	Universal tunneling behavior in technologically relevant P/N junction diodes 技术相关P/N结二极管中的通用隧穿行为相关领域量子隧道硅扫描隧道光谱晶体管材料科学二极管有效质量（弹簧-质量系统）光电子学凝聚态物理 CMOS芯片电气工程物理电压量子力学工程类
网址	https://doi.org/10.1063/1.1699487
DOI	10.1063/1.1699487 doi
其它	期刊：Journal of applied physics 作者：P. M. Solomon; J. Jopling; D.J. Frank; C. D'Emic; O. Dokumaci; et al 出版日期：2004-05-06
求助人	谦让的思枫在 2024-06-25 17:16:28 发布自浙江，悬赏 10 积分
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