Back-Contacted GaInP/GaAs LED Structures by Ex-Situ Dopant Redistribution

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标题	Back-Contacted GaInP/GaAs LED Structures by Ex-Situ Dopant Redistribution 反接触GaInP/GaAs LED结构的非原位掺杂重分布相关领域掺杂剂电致发光发光二极管兴奋剂光电子学二极管材料科学纳米技术图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2023.3302272
DOI	10.1109/ted.2023.3302272 doi
其它	期刊：I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices 作者：Antti Myllynen; Seyed Ahmad Shahahmadi; Ivan Radevici; Jani Oksanen 出版日期：2023-10-01
求助人	大胆夜山在 2024-05-17 16:56:21 发布自福建，悬赏 10 积分
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