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 Stable electrolyte dielectric engineered bottom-gate poly(3-hexylthiophene) transistors with enhanced mobility 具有增强迁移率的稳定电解质介电工程底栅聚（3-己基噻吩）晶体管
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期刊：Organic Electronics 作者：Benjamin Nketia‐Yawson; Ji Hyeon Lee; Grace Dansoa Tabi; Henry Opoku; Jae‐Joon Lee; et al 出版日期：2022-03-01 |
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